富士通推出全新8Mbit FRAM 保证写入耐久度达100万亿次

 编辑：yongzhi  阅读：2  时间：2021-11-17 19:02:05

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富士通半导体解决方案有限公司推出了带有并行接口的新型8Mbit FRAM MB85R8M2TA，这是富士通FRAM产品系列中第一个保证100万亿次读/写周期的产品，目前已提供评估样品。与富士通的传统产品相比，新产品既实现了高速运行，读写速度提高了约30%，又实现了低功耗，工作电流降低了10%。这种存储器IC是需要高速运行的工业机器中SRAM的理想替代品。

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有高读/写持久性、快速写入速度操作和低功耗的优越性，它已经生产了20多年。富士通从2018年6月开始提供带有并行接口的8 Mbit FRAM MB85R8M2T。在推广该产品的同时，公司听到了客户要求的声音，如保证10万亿次以上的写入耐久性、与SRAM一样的操作速度以及与SRAM兼容的TSOP封装。富士通现在宣布推出的8兆比特FRAM产品满足这些要求，并保持FRAM独特的低能耗特性。

MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽广电源电压范围内工作，是富士通FRAM产品系列中第一个保证100万亿次读写周期的产品。

由于能够在快速页面模式下以25ns时延运行，新FRAM的访问速度在连续数据传输时与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且降低了功耗。这种FRAM的最大写入电流为18mA，比目前的产品低10%，最大待机电流为150µA，低50%。它采用44针TSOP封装，与富士通的4Mbit FRAM采用相同的封装形式，此外还可选48针FBGA封装。

新的8Mbit FRAM给客户带来的好处是，在某些情况下可以省去SRAM所需的数据备份电池。富士通的FRAM产品可以解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的种种问题，例如不再需要改变接口设计和PCB设计的额外工作，解决了SRAM写入速度慢以及耐久度差的问题。